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MiniLab-30S PVD 薄膜沉積系統

應用領域:

該系統可用于開發納米級的單層及多層功能膜和復合膜 , 可鍍金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質復合膜和其它化學 反應膜等。

                  MiniLab 30 PVD 薄膜沉積系統(磁控濺射).jpg

螺紋孔基片盤:樣品托.jpg

基本配置:

◆真空腔室:350×400mm 不銹鋼 D 形腔體。前門鉸鏈方便真空室清理;腔室底板,頂部和側面裝有腔室內硬件接口;前 門上配直徑 80 玻璃觀察窗(含手動防污染擋板、可拆洗防污玻璃);腔體可選擇水冷。 

◆抽氣系統: 采用復合分子泵 + 直聯旋片泵作為真空抽氣系統; 主抽泵:分子泵抽速≥ 600L/S,氮氣壓縮比≥ 109 ; 前級泵:VRD-24 機械泵及電磁閥,抽速:6L/S 主抽閥: CCD-150 超高真空電動插板閥 

 * 真空系統可以升級為進口分子泵和渦旋干泵。 

◆真空測量:數顯復合真空計: “兩低一高”全量程數顯復合真空計; 

* 真空測量可以升級為進口全量程冷陰極真空計 

◆極限真空:<5×10-5Pa ◆恢復真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆磁控濺射靶:(最多安裝三個磁控濺射靶)磁控濺射靶磁路模塊化設計;磁控靶可手動調節濺射角度,靶與基片的距離可調; 其中一個靶位可濺射磁性材料(如鎳或鐵等)靶材大小為直徑 50.8mm,建議厚度≤ 5mm,靶材利用率超過 40%; 

◆鍍膜方式:由下往上濺鍍或從上往下濺射,可依需求采用 Confocal(共焦)或 Face-to-Face(面對面); 

◆濺射電源: 射頻電源:功率 300W,輸出頻率:13.56MHz,全自動匹配 數量:1 臺 直流電源:最大輸出功率:500W;輸出電壓:0 ~ -800V 可調 數量:1 臺 

◆工藝氣路(可選):三路質量流量計控制的氣路(Ar、O2、N2 )等 

◆樣品臺:可容納樣品最大尺寸:4 英寸樣品托一個 , 配擋板,轉速 0-30rpm 連續可調 ; 樣品可加熱控溫, 溫度范圍:室溫 -600℃,控溫精度 ±0.5℃; ◆系統控制:15 英寸觸摸屏 +PLC 控制(可選手動按鈕)

選擇配置:

◆樣品臺可水冷,采用直接式水冷形式,水冷不控溫 

◆可選進口濺射電源 

◆磁控靶可選用歐美知名品牌 

◆全量程真空計 (Inficon) 

◆電容式隔膜真空計 ( 測量濺射工作壓力 ) 

◆樣品托 : 不銹鋼、鋁或銅,基片盤上有螺紋孔。

系統要求標準配置:

◆工藝氣體 :25psi,純度 99.99% 以上 

◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮氣 

◆電 源 : 單相 220V, 50Hz, 32A 

◆冷 凍 水 :18-25℃ , 3L/min,壓力 <0.4MPa

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