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Table PVD-10 磁控濺射系統

應用領域:

本裝置是磁控濺射鍍膜系統,該系統兼容直流和射頻濺射源,可濺射金屬、非金屬及化合物薄膜 ( 如:ITO) 等;廣泛應用于科研院所、實驗室制備單層或多層薄膜,以及新材料、新工藝研究。 本裝置系統結構緊湊,系統采用模塊化設計可擴展性高,在保證系統穩定性的前提下,進一步優化您的實驗室利用空間;適合擺放于工作臺面上。

Table PVD-10 磁控濺射系統.jpg

基本配置:

真空腔室:Φ250 mm(ID) x 250 mm(H) 

真空系統:機械泵 + 分子泵兩級真空系統 前級泵:VRD-16 機械泵,抽速:4L/S ;主抽泵:分子泵,抽氣速率:300L/S 主抽閥:CC-100 超高真空手動插板閥, 可調節分子泵抽速,有利于穩定工藝氣壓。 

極限真空:<5×10-5Pa 

恢復真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

真空測量:兩低一高數顯復合真空計 

源:最多 2×2 英寸磁控靶 

濺射電源:直流 (500W ) 一臺(標配) 

進氣系統:一路 MFC 控制的工藝氣路(Ar 

樣品臺:可容納樣品最大尺寸:3 英寸樣品托一個 , 配擋板,轉速 0-30rpm 連續可調樣品可加熱控溫, 溫度范圍:室溫 -300,控溫精度 ±0.5; 

系統控制:10 英寸觸摸屏 +PLC 控制

選擇配置:

樣品臺可水冷,采用直接式水冷形式,水冷不控溫 

全量程真空計( Inficon 

電容式隔膜真空計 ( 測量濺射工作壓力

射頻電源(RF300W(可選) 

 系統要求標準配置: 

工藝氣體 :25psi,純度 99.99% 以上 

工藝氣體(Ar 工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮氣 

: 單相 220V , 50Hz, 16A 

  :18-25 , 1L/min,壓力 < 0.4MPa


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